IPD031N03LGATMA1
Abbildung kann vom Original abweichen
Description:
N-CH 30V 90A 3,1mOhm TO252-3
Hersteller:
INFINEON
Matchcode:
IPD031N03L G
Rutronik No.:
TMOSP11242
VPE:
2500
MOQ:
2500
Package:
DPAK
Verpackung:
REEL
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Datenblatt
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Muster
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- Configuration
- N-CH
- V(DS)
- 30 V
- I(D)at Tc=25°C
- 90 A
- RDS(on)at 10V
- 3,1 mOhm
- Q(g)
- 33 nC
- P(tot)
- 94 W
- R(thJC)
- 1,6 K/W
- Logic level
- YES
- Mounting
- SMD
- Technology
- OptiMOS3
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- NO
- Gehäuse
- DPAK
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Verpackung
- REEL
- Hersteller Artikel
- SP000680554
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- Malaysia
- ABC-Schlüssel
- B
- Lieferzeit beim Hersteller
- 16 Wochen
With the new OptiMOS™ 30V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package.
Summary of Features
- Ultra low gate and output charge
- Lowest on-state resistance in small footprint packages
- Easy to design in
Benefits
- Increased battery lifetime
- Improved EMI behavior making external snubber networks obsolete
- Saving costs
- Saving space
- Reducing power losses
Target Applications
- Onboard charger
- Notebook
- Mainboard
- DC-DC
- VRD/VRM
- Motor control
- LED
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