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BGA7L1N6E6327XTSA1

INFINEON SP001109134

Abbildung kann vom Original abweichen

Description: SiGe Low noise amplifier LTE Hersteller: INFINEON Matchcode: BGA7L1N6 E6327 Rutronik No.: THF5266 VPE: 15000 MOQ: 15000 Package: TSNP-6-2 Verpackung: REEL
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Automotive
NO
Gehäuse
TSNP-6-2
RoHS Status
RoHS-conform
Verpackung
REEL
Hersteller Artikel
SP001109134
ECCN
EAR99
Zolltarifnummer
85423390000
Land
Malaysia
Lieferzeit beim Hersteller
100 Wochen

Silicon Germanium Low Noise Amplifier for LTE

Summary of Features:

  • Insertion power gain: 13.3 dB
  • Low noise figure: 0.90 dB
  • Low current consumption: 4.4 mA
  • Operating frequencies: 728 - 960 MHz
  • Supply voltage: 1.5 V to 3.3 V
  • Digital on/off switch (1V logic high level)
  • Ultra small TSNP-6-2 leadless package (footprint: 0.7 x 1.1 mm2)
  • B7HF Silicon Germanium technology
  • RF output internally matched to 50 Ω
  • Only 1 external SMD component necessary
  • 2kV HBM ESD protection (including AI-pin)
  • Pb-free (RoHS compliant) package

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