SISS52DN-T1-GE3
Neues Produkt
Abbildung kann vom Original abweichen
Description:
N-CH 30V 162A 0,95mOhm PPAK1212
Hersteller:
VISHAY
Matchcode:
SISS52DN-T1-GE3
Rutronik No.:
TMOS6129
VPE:
1
MOQ:
1
Package:
PPAK1212-8
Verpackung:
REEL
Alternativen finden
Datenblatt
Einfügen in Projektliste
Muster
Download the free Library Loader to convert this file for your ECAD Tool
- Configuration
- N-CH
- V(DS)
- 30 V
- I(D)at Tc=25°C
- 162 A
- RDS(on)at 10V
- 0.95 mOhm
- Q(g)
- 43.2 nC
- P(tot)
- 57 W
- R(thJC)
- 1.7 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- NO
- Gehäuse
- PPAK1212-8
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Verpackung
- REEL
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- China
- Lieferzeit beim Hersteller
- 22 Wochen
Die Artikel im Warenkorb können Sie verbindlich bestellen, oder - falls Sie weitere Fragen haben - als unverbindliche Anfrage an uns schicken.
Der Rutronik24 Shop ist nur für Firmenkunden. Ein Verkauf an Privatkunden ist nicht möglich.