SPB80P06PGATMA1
Abbildung kann vom Original abweichen
Description:
P-CH 60V 80A 23mOhm TO263-3
Hersteller:
INFINEON
Matchcode:
SPB80P06P G
Rutronik No.:
TMOSP7776
VPE:
1000
MOQ:
1000
Package:
D2PAK
Verpackung:
REEL
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Muster
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- Configuration
- P-CH
- V(DS)
- 60 V
- I(D)at Tc=25°C
- 80 A
- RDS(on)at 10V
- 23 mOhm
- Q(g)
- 173 nC
- P(tot)
- 340 W
- R(thJC)
- 0.4 K/W
- Logic level
- NO
- Mounting
- SMD
- Technology
- SIPMOS
- Fast bodydiode
- NO
- Automotive
- NO
- Gehäuse
- D2PAK
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Verpackung
- REEL
- Hersteller Artikel
- SP000096088
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- Malaysia
- ABC-Schlüssel
- A
- Lieferzeit beim Hersteller
- 12 Wochen
Infineon’s highly innovative OptiMOS™ families include p-channel power MOSFETs. These products consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as on-state resistance and figure of merit characteristics.
Summary of Features- Enhancement mode
- Avalanche rated
- Pb-free lead plating; RoHS compliant
- Small Signal packages approved to AEC Q101
- Automotive
- Consumer
- DC-DC
- eMobility
- Motor control
- Notebook
- Onboard charger
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