FZ1200R12HE4HOSA2
Abbildung kann vom Original abweichen
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- V(CE)
- 1200 V
- I(C)
- 1200 A
- td(on)
- 2400 ns
- td(off)
- 7150 ns
- P(tot)
- 150 W
- t(r)
- NO ns
- V(CEsat)
- SMD V
- Bodydiode
- IGBT4
- Automotive
- NO
- Gehäuse
- IHMB130-2
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Verpackung
- BOX
- Hersteller Artikel
- SP001172140
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412900000
- Land
- Hungary
- ABC-Schlüssel
- A
- Lieferzeit beim Hersteller
- 16 Wochen
1200 V, 1200 A single switch IGBT module
1200 V IHM B 130mm single switch IGBT Module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 Diode - The best solution for your industry applications. Also available with Thermal Interface Material.
Summary of Features
- Extended Operation Temperature Tvj op
- Low switching losses
- Package with CTI > 400
- UL recognised
Benefits
- High Power Density
- Standardized housing
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