BFP843H6327XTSA1
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Datenblatt
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Muster
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- Polarität
- NPN
- U(cc) max
- 1.8 V
- Frequenz f
- 5500 MHz
- P(out)
- 0.125 W
- Gehäuse
- SOT343
- Automotive
- NO
- RoHS Status
- RoHS-conform
- Verpackung
- REEL
- Hersteller Artikel
- SP001062586
- ECCN
- EAR99
- Zolltarifnummer
- 85412100000
- Land
- China
- ABC-Schlüssel
- B
- Lieferzeit beim Hersteller
- 10 Wochen
The BFP843 is a robust low noise broadband pre-matched RF heterojunction bipolar transistor (HBT).
Summary of Features:
• Unique combination of high end RF performance and robustness: 20 dBm maximum RF input power, 1.5 kV HBM ESD hardness
• High transition frequency enables best in class noise performance at high frequencies:NFmin = 1.2 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 8 mA
• High gain Gma = 17 dB at 5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
• OIP3 = 19.5 dBm at 5.5 GHz, 1.8 V, 15 mA
• Suitable for low voltage applications e.g. VCC = 1.2 V and 1.8 V (2.85 V, 3.3 V, 3.6 V require a corresponding collector resistor)
Wireless communications: WLAN, WiMAX and Bluetooth
Satellite communication systems: satellite radio (SDARs, DAB) and navigation systems (e.g. GPS, GLONASS, BeiDou, Galileo)
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